特許
J-GLOBAL ID：200903038803295274
同位体分析装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315670
公開番号（公開出願番号）：特開平11-148898
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】光吸収スペクトルの強度を安定かつ高精度に検出する。【解決手段】半導体レーザ1の温度検出回路6と温度制御回路7とが接続されるように選択回路15を切り替えてレーザ光Lの光波長の粗調を行った後、選択回路15を3f成分を検出するロックインアンプ13側に切り替えて微調を行い光波長を3f成分のゼロクロス点にロックする。このようにすれば、光吸収スペクトル自体で光波長がロックされることになるので正確な光波長が得られる。したがって、安定かつ高精度に光吸収スペクトルの強度を検出することができる。
請求項（抜粋）：
同位体の光吸収スペクトルより同位体比を検出する同位体分析装置において、レーザ光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザの温度を検出する温度検出回路と、検出された温度が設定値となるように前記半導体レーザを温度制御する温度制御回路と、前記半導体レーザに一定の駆動電流を供給する定電流回路と、前記半導体レーザに周波数fの変調をかける発振回路と、前記同位体の試料ガス内を透過した前記レーザ光から光吸収スペクトルを検出する光検出素子と、前記光吸収スペクトルの2f成分を検出するロックインアンプと、前記光吸収スペクトルの3f成分を検出するロックインアンプと、前記温度制御回路への入力を、前記温度検出回路の出力または前記3f成分を検出するロックインアンプの出力から選択する選択回路を有し、前記温度検出回路の出力による前記レーザ光の光波長の粗調整と前記3f成分を検出するロックインアンプの出力による前記光波長の微調整とを併用して前記光波長をロックし、前記2f成分を検出するロックインアンプの出力により前記光吸収スペクトルの強度を検出して、検出した光吸収スペクトルの強度比から前記同位体比を検出することを特徴とする同位体分析装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/39
, G01N 21/31 Z
