特許
J-GLOBAL ID：200903038809412434
ダイヤモンドの製造法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225100
公開番号（公開出願番号）：特開平6-087689
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 DCプラズマジェットにより基材の上へ活性化された炭素源ガスを吹き付けてダイヤモンドを合成する方法は高速合成が可能である。しかし、大面積の基材の上へ均一にダイヤモンド合成する事はできない。大面積の基材にダイヤモンド膜を均一に合成する事が本発明の目的である。【構成】 3つ以上のプラズマト-チを用いる。それぞれの中心軸線の延長線が同一点で交差するように配置し、不活性ガス、水素ガスをト-チ内に通し、それぞれのト-チに内部ア-クプラズマを形成する。この後いずれかを陰極ト-チ、他を陽極ト-チとして陰陽ト-チの間に外部ア-クプラズマを形成し、さらに陰陽のト-チを平行移動、回転して外部ア-クプラズマ形成領域を拡げる。炭素源ガスは外部ア-クプラズマジェットの合流点に向けてガス供給ノズルから吹き付ける。
請求項（抜粋）：
炭素を含む原料ガスの分解、活性化を、陰極と陽極の間に直流電圧を印加することによって発生するDCプラズマによって行い、活性化されたプラズマを基材に吹きつけることによってダイヤモンドを合成する方法に於いて、同心状に陽極と陰極とを配置しその間にガス流路を有する非移行式の内部DCア-クプラズマジェットを形成することのできるプラズマト-チを少なくとも3個以上用い、そのうち少なくともひとつのプラズマト-チは陰極として使用するべきプラズマト-チ(陰極ト-チという)とし,他のプラズマト-チは陽極として使用するべきプラズマト-チ(陽極ト-チという)とし、陰極ト-チ及び陽極ト-チを同一軸線上に並ばず平行にもならず、これらから出射されるプラズマジェットがほぼ一点に収束するように配置し、個々のプラズマト-チの内部の陰極と陽極との間に不活性ガス又は不活性ガスと水素の混合ガスを流し、個々のプラズマト-チ内に非移行式のDCプラズマを発生させ、この後、陰極ト-チと陽極ト-チとの間に直流電圧を加えることによって両者の間に移行式の外部DCプラズマジェットを形成した後、個々のプラズマト-チ内の非移行式の内部DC放電を切り、複数の陽極ト-チと陰極ト-チとの間に形成される複数の移行式プラズマジェットを合流させて均一で大きなプラズマジェットを形成し、炭素を含む原料ガス或は炭素を含む原料ガスと水素ガスをプラズマジェットの合流部に吹き付けて、合流したプラズマジェットの下流域に置いた基材にプラズマジェットを吹き付けて気相反応で基材の上にダイヤモンドを形成するようにした事を特徴とするダイヤモンドの製造法。
IPC (2件)：
引用特許：
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