λ/4シフト回折格子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138899
公開番号（公開出願番号）：特開平8-005812
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】複数のレジストを用いることなく、簡単な工程で容易にλ/4シフト回折格子を得ることができるλ/4シフト回折格子の製造方法を提供する。【構成】画像反転レジスト2を用い、これを現像溶解を起こさないよう干渉露光した後、基板1の第1の領域7上の上記レジスト2を、上記干渉露光により露光された第1の露光領域23のみが現像溶解が可能となるよう露光し、これを現像し、次に上記基板の一領域上のレジスト2の第2の露光領域24を、画像反転処理が可能となるよう露光し、かつ上記基板の残りの領域上のレジスト2を、上記干渉露光により露光された第1の露光領域23のみが画像反転処理が可能となるよう露光した後、上記画像反転レジスト2の画像反転処理を行い、該レジスト2の画像が反転されていない領域を露光と現像により除去してパターンを形成し、これをマスクとして基板1をエッチングする。

請求項（抜粋）：

回折格子を形成する基板上に、画像反転レジストを塗布し、該画像反転レジストが現像による溶解を起こさないよう干渉露光を行う工程と、上記基板の一領域上の上記レジストを、上記干渉露光の露光強度パターンの山部により露光された領域のみが現像による溶解が可能となるよう露光する工程と、上記基板の一領域上の上記レジストを現像する工程と、上記基板の一領域上の現像により残ったレジストを、画像反転処理が可能となるよう露光する工程と、上記基板の残りの領域上のレジストを、上記干渉露光の露光強度パターンの山部により露光された領域のみが画像反転処理が可能となるよう露光する工程と、上記基板の一領域上,及びその他の領域上の画像反転レジストに画像反転処理を行った後、該レジストを露光し、現像して、該レジストの画像が反転されていない領域を除去してレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンを半導体基板に転写する工程とを含むことを特徴とするλ/4シフト回折格子の製造方法。

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