特許
J-GLOBAL ID：200903038815458861

固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法およびカメラ

発明者：
森 三佳

森 三佳 について

, 
山口 琢己

山口 琢己 について

, 
沖野 徹

沖野 徹 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-209486
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034772
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【課題】素子分離用領域の電気的な分離特性を確保しつつ、微細画素サイズで蓄積電子数の増加、ランダムノイズおよび白キズの少ない固体撮像装置、その製造方法およびカメラを実現できるようにする。【解決手段】シリコン基板の上に複数の埋め込みフォトダイオード、光電変換された電荷を検出するMOSトランジスタ、MOSトランジスタおよびフォトダイオードを電気的に分離する素子分離領域が設けられた固体撮像装置において、素子分離領域は幅の広い上部と幅の狭い下部との二段構造で形成されている。そして、素子分離領域の周囲は、P型領域で囲まれている。このような素子分離領域を用いることで、下段の幅が狭くなることで、フォトダイオードの蓄積電子数を増加できるとともに、素子分離界面近傍を十分広くP型注入領域で覆うことができるため、白キズおよびランダムノイズが低減できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の上部に形成された光電変換部を含む撮像領域において、前記シリコン基板のうち前記光電変換部を囲む部分の少なくとも一部に形成されて、下部の幅が上部の幅に比べて非連続的に狭く変化する素子分離と、前記撮像領域のうち前記素子分離によって前記光電変換部と電気的に分離される領域に形成されたMOS型トランジスタを有して、前記素子分離領域上部及び下部の周囲を囲む部分は、前記光電変換部の第一導電型の電荷蓄積領域の表面に形成された第一導電型と反対の第二導電型の表面暗電流抑制領域を含むことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H01L21/76 L ,  H01L21/265 R
Fターム (23件)：
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA67 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-430505   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (4件)
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