特許

J-GLOBAL ID：200903038815579472

シリコンカーバイト薄膜層の形成方法及び形成装置

発明者： 前田 健司
出願人/特許権者： ダイキン工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084598
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297137
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 Si基板の表面に均一なSiCの薄膜層を形成する。【構成】 Si基板11の表面にSiC薄膜層を形成するに際し、真空中においてC試料へのアブレーション用レーザ光L2の照射により微粒化されたCを生成する。また、この超微粒子Cに対し、H2 の供給、高電圧の印加、紫外線レーザ光の照射により微粒化を促進させ、サイズ効果が得られるnmオーダまで微粒化する。Si基板11の表面に紫外線レーザ光L1を照射して、光化学反応により該表面を活性化させる。その後、超微粒子Cを、キャリヤガスによりSi基板11の表面に向って移動させ、基板の表面のSiと結合させてSi基板11表面にSiCの薄膜層を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(11)の表面にシリコンカーバイト薄膜層を形成する形成方法であって、真空中において炭素試料(4) へのレーザ光(L2)の照射により超微粒化された炭素を生成する超微粒子生成工程と、前記シリコン基板(11)の表面に反応光(L1)を照射して、光化学反応により表面層を活性化させる基板活性化工程と、前記超微粒子生成工程によって生成された超微粒子炭素を、基板活性化工程によって活性化されたシリコン基板(11)の表面に散布して基板(11)の表面層のシリコンと結合させ、シリコン基板(11)の表面にシリコンカーバイトの薄膜層を選択的に形成するシリコンカーバイト薄膜層形成工程とからなるシリコンカーバイト薄膜層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/12 ,  C01B 31/36 ,  C23C 26/00