特許

J-GLOBAL ID：200903038816034518

高分子光学材料及びこれを用いた光導波路

発明者： 天野 道之 ,  碓氷 光男 ,  渡辺 俊夫 ,  菅原 駿吾 ,  林田 尚一 ,  今村 三郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085979
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176444
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】 耐溶剤性に優れ、インターミキシング発生を回避できる、可視から近赤外域にわたり低損失でありしかも耐熱性に優れたポリシロキサン系光学材料、及びこれを用いた光導波路を提供する。【構成】 OH基を有する特定構造のポリシロキサン又は含ケイ素化合物と、ポリイソシアネート、シラン化合物、Ti、Al若しくはZrのアルコキシド若しくはキレート化合物の少なくとも1種との混合物である高分子光学材料。又は上記ポリシロキサンのうちの特殊な基をもつもの、その混合物あるいは架橋体からなる高分子光学材料。これら材料を硬化した材料を、コア又はクラッドとして用いる高分子光導波路。

請求項（抜粋）：

下記一般式(化1)で表される繰り返し単位からなるポリシロキサンと、ポリイソシアネート、シラン化合物、チタンアルコキシド、チタンキレート化合物、アルミニウムアルコキシド、アルミニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムキレート化合物のうちの少なくとも一つとを含む混合物であることを特徴とする高分子光学材料。【化1】〔式中、R1 、R2 は同一又は異なり、Cb Y2b+1(Yは水素、重水素若しくはハロゲン、bは正の整数を表す)で表されるアルキル基、重水素化アルキル基又はハロゲン化アルキル基、あるいはC6 Y5 (Yは水素、重水素若しくはハロゲンを表す)で表されるフェニル基、重水素化フェニル基又はハロゲン化フェニル基を表す〕

IPC (4件)：

C08L 83/06 LRX ,  C08K 3/22 KAE ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/00 391