特許

J-GLOBAL ID：200903038816945952

半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 岳志
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-062623
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273772
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】MOSFET構造形成面とは反対側の裏面に高温熱処理を要するnバッファ層を有する高耐圧縦型パワーMOSFET構造を備える半導体装置を製造する場合に、特に100V以下の順方向耐圧不良を少なくすることにより、順方向耐圧の良品率を改善でき、高い生産効率を可能にする半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】n導電型半導体基板の一方の主面側への熱酸化膜形成工程と、他方の主面側へのn導電型不純物のイオン注入による導入工程と、前記不純物を1100°C以上の熱処理により拡散させてn+バッファ層を形成する工程と、前記一方の主面側の前記熱酸化膜へのパターニング工程と、その後に行われる一方の主面側にMOSFET構造を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記一方の主面側の前記熱酸化膜へのパターニング工程を、前記他方の主面側へのn導電型不純物イオン注入による導入工程の後に行なう半導体装置の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体基板の一方の主面側への熱酸化膜形成工程と、他方の主面側への第一導電型不純物の導入工程と、前記不純物を1100°C以上の熱処理により拡散させてバッファ層を形成する工程と、前記一方の主面側の前記熱酸化膜へのパターニング工程と、その後に行われる一方の主面側にMOSFET構造を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記一方の主面側の前記熱酸化膜へのパターニング工程を、前記他方の主面側への第一導電型不純物の導入工程の後に行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (2件)：

H01L29/78 655B ,  H01L29/78 658A