特許
J-GLOBAL ID：200903038817371429
スパツタリング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197239
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021382
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、複数枚の基板を連続的にスパッタリングで成膜した際に、基板毎に自動的に成膜条件を変更することにより、基板間におけるスパッタ膜の膜質のばらつきを低減することを可能にする。【構成】 スパッタ膜の膜質を制御するシステム31を設けたスパッタリング装置1である。上記システム31は、スパッタ膜の抵抗を測定する抵抗測定器32と、測定した抵抗値に基づいて反応ガス流量の制御信号を送信するガス制御器33と、送信した制御信号に基づいて反応ガス量を調節する手段としてのマスフローコントローラー22,23とによりなる。または上記抵抗測定器32の代わりに、スパッタ膜の反射率を測定する反射率測定器(図示せず),ターゲット12の温度を測定する温度測定器(図示せず)あるいはスパッタリング室11中の酸素分圧を測定する分圧測定器(図示せず)を設けたものである。
請求項（抜粋）：
基板に成膜されるスパッタ膜の膜質を制御するシステムを設けたスパッタリング装置であって、前記システムとして、前記基板に成膜されるスパッタ膜の抵抗値を測定する抵抗測定器と、前記抵抗測定器で測定した抵抗値に基づいて、スパッタリング室に供給される反応ガス流量の制御信号を送信するガス制御器と、前記制御信号に基づいて当該反応ガス流量を調節する手段とを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (6件)：
H01L 21/285
, C23C 14/54
, C30B 25/14
, H01L 21/203
, H01L 21/31
, H01L 21/66
