特許
J-GLOBAL ID：200903038819943748
プラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221307
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067725
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】パルスもしくは20MHz以上の高周波バイアスを用いるプラズマエッチング装置において、ウエハ面内で高い均一性のエッチング速度とエッチング形状を達成する。【解決手段】被エッチ物と対向する位置に接地電極を設け、上記両者間の間隔または対向面積において中央部と周辺部で変化をつけ電極構造を最適化すること、もしくは、プラズマ発生のための磁場強度を減少することにより、バイアス印加の均一化をはかる。
請求項（抜粋）：
処理ガスのプラズマを用いて被エッチ物をエッチングするための真空処理室と、上記真空処理室内を排気する手段と、上記処理ガスのプラズマを発生させる手段と、上記真空処理室内に配置され、その上に上記被エッチ物を置くための試料台と、上記被エッチ物もしくは上記試料台に所定の20MHz以上の高周波電圧もしくはパルス電圧のいずれかをバイアス電圧として印加する手段と、被エッチ物と対向した位置に設けた接地電位の電極とを少なくとも具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
