特許
J-GLOBAL ID：200903038820210371
プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、半導体装置の製造方法及びマイクロ波分散板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯塚 雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101056
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284294
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 試料に対するプラズマ処理速度の低下を招くことなく、安定且つ均一なプラズマ処理を行うこと。【解決手段】 真空容器(12,14)に導入されるマイクロ波の進行方向と直交する断面において、当該マイクロ波の通過範囲を規制する。そして、その際にマイクロ波を大気より大きな誘電率を有する物質(46)中を通過させる。
請求項（抜粋）：
真空容器内に導入されたマイクロ波によって生成されるプラズマを用いて前記真空容器内に配置された試料に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において、前記真空容器に導入される前記マイクロ波の進行方向と直交する断面において当該マイクロ波の通過範囲を規制する工程を含み;前記工程において、前記マイクロ波を大気より大きな誘電率を有する物質中を通過させることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
H05H 1/46 B
, H05H 1/46 C
, C23C 16/50
, C23F 4/00 D
, H01L 21/302 B
