特許

J-GLOBAL ID：200903038822720750

メモリセルのプログラミング方法

発明者： ステファノ グレゴリ ,  リーノ ミケロニ ,  アンドレア ピエリン ,  オサマ コーリ ,  グイド,トレリ
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクス ソチエタ レスポンサビリタ リミテ
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107937
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319293
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 メモリセルの高速かつ高精度なプログラミング方法を実現する。【解決手段】 不揮発性メモリセル1のプログラミング方法は、階段状に増加するパルス振幅を有する少なくとも第1および第2のプログラミングパルス列F1、F2をメモリセル1の制御端子2に連続して印加するが、第1のプログラミング列F1内のパルスとその次との間の振幅インクリメントが第2のプログラミング列F2内のパルスとその次との間の振幅インクリメントよりも大きい。有利には、階段状に増加するパルス振幅を有する第3のプログラミングパルス列F0、F3を第1のプログラミングパルス列F1の前にメモリセル1の制御端子2に印加するが、あるパルスとその次との間の振幅インクリメントが、第1のプログラミング列F1内の振幅インクリメントよりも小さく第2のプログラミング列F2内の振幅インクリメントに実質的に等しいか第1のプログラミング列F1内の振幅インクリメントよりも大きい。

請求項（抜粋）：

メモリセル(1)のプログラミング方法であって、前記メモリセル(1)の制御端子(2)に、階段状に増加するパルス振幅を有する少なくとも第1のプログラミングパルス列および第2のプログラミングパルス列(F1、F2)を、連続して印加する段階であって、前記第1のプログラミング列(F1)内のあるパルスとその次のパルスとの間の振幅インクリメントが、前記第2のプログラミング列(F2)内のあるパルスとその次のパルスとの間の振幅インクリメントよりも大きい段階、を備えることを特徴とするメモリセルのプログラミング方法。

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 641

Fターム (6件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08