特許

J-GLOBAL ID：200903038823980135

プラズマエッチングによる析出チャンバの浄化方法

発明者： ハインツ シユタインハルト ,  オスワルト シユピンドラー ,  ハンス ラスケ ,  ヨーゼフ マツニ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285332
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214531
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体技術で層形成のために使用される析出チャンバをインシトゥ浄化するための方法を、浄化時間、選択性などに関して改良する。【構成】 浄化のために使用されるエッチングガスが析出チャンバから空間的に隔てられたマイクロ波を供給されるプラズマ放電のなかで強く励起され、また活性化された電気的に中性のエッチングガス粒子がその後に析出チャンバのなかに吹き込まれ、またそこですべての表面を表面の位置および配置に無関係な高いエッチングレートでエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体技術で層形成のために使用される析出チャンバをインシトゥ浄化するための方法において、浄化のために使用されるエッチングガスが析出チャンバから空間的に隔てられたマイクロ波を供給されるプラズマ放電のなかで強く励起され、また活性化された電気的に中性のエッチングガス粒子がその後に析出チャンバのなかに吹き込まれ、またそこですべての表面を表面の位置および配置に無関係な高いエッチングレートでエッチングすることを特徴とするプラズマエッチングによる析出チャンバの浄化方法。

IPC (4件)：

C23C 16/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341