特許

J-GLOBAL ID：200903038828464364

半導体装置およびその製造方法

発明者： 篠原 俊朗
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-157240
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023093
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】製造歩留まりが良く、安価で、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】ソース、ボディコンタクトを、LOCOS酸化膜とのセルフアラインで異方性化学エッチングによりトレンチエッチして形成する半導体装置であって、ゲート電極を自己整合的に覆うように形成されたキャップ絶縁膜を有する半導体装置において、少なくとも、2つのキャップ絶縁膜の端部2点と、この2点を結ぶ線分の下部のベース領域中の任意の1点からなる3角形状の領域を除去してコンタクト孔を形成し、このコンタクト孔を覆うようにソース電極を配設した半導体装置。【効果】コンタクト孔を異方性エッチングによって3角形状のコンタクト孔としているので歩留まりが高く、安価で信頼性の高い半導体装置を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、該半導体基板とは逆導電型のベース領域と、該ベース領域の上に、上記半導体基板と同じ導電型の高濃度ソース領域を有し、該ソース領域上に、該ソース領域と上記ベース領域とを突き抜けて上記半導体基板に達する深溝を配設し、該深溝の内面にゲート絶縁膜を設け、該ゲート絶縁膜の表面および深溝の内部にゲート電極を埋設し、該ゲート電極の上に、該ゲート電極を自己整合的に覆うように設けられたキャップ絶縁膜を有する半導体装置において、少なくとも、上記2つのキャップ絶縁膜の端部2点と、該2つの端部を結ぶ線分の下部に位置する上記ベース領域中の任意の1点からなる3角形状の領域を除去してコンタクト孔を形成し、該コンタクト孔を覆うようにソース電極を配設してなることを特徴とする半導体装置。