化合物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245478
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082804
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】面積が小さく、かつ、半絶縁性基板とゲート金属界面で生じる問題の少ない化合物半導体集積回路を提供する。【構成】 MESFETの活性領域内のゲート金属上に配線金属とのコンタクトを設ける。【効果】 FETの活性領域外の半絶縁性基板上にゲートの取り出し電極が存在しないため、ゲート金属と半絶縁性基板の界面でのリーク電流がほとんど生じず、また、ゲート金属から半絶縁性基板へのホール注入も起こりにくくなって、サイドゲート効果が低減される。さらに、チップ上の占有面積も小さくなる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体半絶縁性基板上に形成されたショットキー接合電界効果トランジスタ(MESFET)において、ゲート金属と配線金属のコンタクトが、FET形成のために半絶縁性基板に不純物ドーピングされた領域(活性領域)内に設けらていることを特徴とする化合物半導体装置。

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