特許
J-GLOBAL ID:200903038835644254
成膜装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
森本 直之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-114159
公開番号(公開出願番号):特開2005-298866
出願日: 2004年04月08日
公開日(公表日): 2005年10月27日
要約:
【課題】処理空間に分解ガスを導入し、特別な設備改造を伴うことなく、ZnO成膜の成長を促進させる成膜装置を提供する。【解決手段】処理空間1内に少なくともZn原料ガスとO原料ガスを供給し、上記両原料ガスにより上記処理空間1に露出している被処理物5の表面にZnO膜の成膜を行うために、少なくとも上記両原料ガスのいずれかの分解を促進する分解ガス(水素ガス)を上記処理空間1内に導入する分解ガス導入路15,27を備えている。このような構成により、原料ガスが分解されて良好な成膜成長がなされる。これと同時に、プラズマ源やレーザー源を不要とするので、成膜装置の構造簡素化や設備費の低減が図れる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
処理空間内に少なくともZn原料ガスとO原料ガスを供給し、上記両原料ガスにより上記処理空間に露出している被処理物の表面にZnO膜の成膜を行う成膜装置であって、少なくとも上記両原料ガスのいずれかの分解を促進する分解ガスを上記処理空間内に導入する分解ガス導入路を備えていることを特徴とする成膜装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (7件):
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030BA47
, 4K030EA03
, 4K030EA05
, 4K030EA06
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特許第2715299号公報
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特開昭63-303070
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基板処理装置及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-057728
出願人:株式会社荏原製作所
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特開昭62-139875
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審査官引用 (5件)
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引用文献:
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