特許

J-GLOBAL ID：200903038837741826

直列多重インバータ

発明者： 安藤 武 ,  斉藤 秀治 ,  堀江 哲 ,  筒井 義雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-227763
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】本発明は、素子の配置を工夫することにより、スナバ回路のインダクタンスを低減し、スイッチング素子の能力を最大限利用した直列多重インバータを提供することにある。【構成】直列多重インバータにおいて、スイッチング素子モジュール11aと11b,12aと12b,13aと13b,14aと14bの間にクランプダイオードモジュール15,16が入るスペースを開けて、スイッチング素子モジュール中間にクランプダイオードモジュールを配置し、クランプダイオードモジュールの上に立体的にスナバ回路を配し、他のスナバ回路も直線状にレイアウトする。【効果】この構成により、全てのスナバ回路の配線長を等しくすることができ、クランプダイオードのリカバリに対してもスナバ回路が有効に作用し、さらにスイッチング素子間のスナバ回路インダクタンスの差を小さくできる。

請求項（抜粋）：

自己消弧型半導体スイッチング素子とこのスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードからなる第1,第2,第3及び第4のモジュール型半導体素子の直列体を2並列に接続し、この第2及び第3のモジュール型半導体素子の直列体と逆並列に接続され中性点に接続された第1及び第2のモジュール型ダイオードを有し、前記並列接続された2つのモジュール型半導体素子の直列体の間に前記第1及び第2のモジュール型ダイオードを配置した直列多重インバータ。