半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267207
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093898
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜の絶縁性を向上させる。【解決手段】半導体基板の主面側に形成された絶縁膜10を有し、絶縁膜10が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域11と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域12と、から構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面側に形成された絶縁膜を有し、該絶縁膜が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域と、から構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/314 , H01L 21/318 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/316 C , H01L 21/314 A , H01L 21/318 B , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 P

Fターム (29件)：

5F040DA19 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040ED02 , 5F040ED03 , 5F040ED05 , 5F040ED06 , 5F040ED07 , 5F040EF02 , 5F040EH02 , 5F040EK05 , 5F040FA02 , 5F040FC00 , 5F040FC10 , 5F040FC22 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF62 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開昭60-050950

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