特許
J-GLOBAL ID：200903038839814391
絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259155
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 LSI 用の層間絶縁膜や素子分離用の絶縁膜として用いられる耐吸湿性に優れているとともに段差被覆性および平坦性に優れたオゾン-有機シラン系のCVD 絶縁膜を効率良く形成するもの。【構成】 シリコンウエファを反応チャンバに入れた状態で、オゾン濃度、成膜温度、成膜圧力および原料ガス流量の内の少なくとも一つのパラメータを段階的または連続的に変化させて膜質の異なる複合絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
オゾンガスと有機シラン系原料ガスとの混合ガスを、半導体基体を入れた反応容器に導き、化学気相成長法により半導体基体上に絶縁膜を形成するに当たり、半導体基体を反応チャンバ内に入れたままで、オゾン濃度、成膜温度、成膜圧力および原料ガスの4つの成膜条件の内の少なくとも1つの条件を変化させて膜質の異なる絶縁膜を複合形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 14/54
, C23C 16/40
, C30B 25/14
