特許

J-GLOBAL ID：200903038841692821

パターンの形成方法

発明者： 篠原 啓二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125010
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303183
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 有機膜に形成したパターンに近いパターンを下地に転写して、信頼性及び特性の優れた半導体装置を製造する。【解決手段】 塩素を含むガスを用いて有機系反射防止膜14をエッチングすると反応生成物16が形成されるが、フルオロカーボンポリマー膜38で全面を被覆する。このため、その後にSiウェハ11を大気中に取り出しても、フルオロカーボンポリマー膜38によって大気中の水分が反応生成物16まで侵入せず、反応生成物16中の塩素と大気中の水分とが反応しなくて、反応生成物16の体積も膨張しない。

請求項（抜粋）：

ハロゲン元素を含むガスを用いたエッチングで有機膜にパターンを形成した後、前記有機膜の下地に前記パターンを転写するパターンの形成方法において、水分を含む雰囲気に前記パターンを曝す前に、水分透過阻止能を有する被覆膜で前記パターン及び前記下地を被覆することを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 D