誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田均 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280189
公開番号（公開出願番号）：特開2001-097773
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】非酸化性雰囲気で1250°C以下の温度での焼成が可能で、半導体化せず、誘電率および絶縁抵抗が高く、誘電損失が小さい誘電体磁器組成物の製法と、該組成物を用いた電子部品を提供する。【解決手段】 {{Ba<SB>(1-x) </SB>Ca<SB>x </SB>}O}<SB>A </SB>(Ti<SB>(1-y)</SB>Zr<SB>y </SB>)<SB>B </SB>O<SB>2 </SB>で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分の作製工程と、Sr,Y,Gd,Tb,Dy,V,Mo,Zn,Cd,Ti,Sn,W,Mn,SiおよびPの酸化物から選ばれる1種類以上を含む副成分の作製工程と、副成分が、物全体に対して、酸化物換算で、0.001〜5モル%含まれ、A,B,x,yが、0.990≦A/B<1.000、0.01≦x≦0.25、0.1≦y≦0.3の関係となるように、主成分および/または副成分に、(Ba<SB>z </SB>Ca<SB>(1-z)</SB> )SiO<SB>3 </SB>(ただし、Z=0〜1)を添加する工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。

請求項（抜粋）：

{{Ba<SB>(1-x) </SB>Ca<SB>x </SB>}O}<SB>A </SB>(Ti<SB>(1-y)</SB>Zr<SB>y </SB>)<SB>B </SB>O<SB>2 </SB>で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分を作製する工程と、Sr,Y,Gd,Tb,Dy,V,Mo,Zn,Cd,Ti,Sn,W,Mn,SiおよびPの酸化物および/または焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選ばれる1種類以上を含む副成分を作製する工程と、前記副成分が、組成物全体に対して、酸化物換算で、0.001〜5モル%含まれ、前記主成分を示す式中の組成比を示す記号A,B,x,yが、0.990≦A/B<1.000、0.01≦x≦0.25、0.1≦y≦0.3の関係となるように、前記主成分および/または副成分に、(Ba<SB>z </SB>Ca<SB>(1-z)</SB> )SiO<SB>3 </SB>(ただし、Z=0〜1)を添加する工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/49 , H01G 4/12 358 , H01B 3/12 303

FI (3件)：

H01G 4/12 358 , H01B 3/12 303 , C04B 35/49 Z

Fターム (62件)：

4G031AA04 , 4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA13 , 4G031AA17 , 4G031AA18 , 4G031AA19 , 4G031AA24 , 4G031AA26 , 4G031AA30 , 4G031AA31 , 4G031AA33 , 4G031AA39 , 4G031BA09 , 4G031CA03 , 4G031GA11 , 5E001AB03 , 5E001AC03 , 5E001AC09 , 5E001AD03 , 5E001AE00 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AE04 , 5E001AF06 , 5E001AH01 , 5E001AH05 , 5E001AH06 , 5E001AH08 , 5E001AH09 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5G303AA01 , 5G303AB01 , 5G303AB06 , 5G303AB07 , 5G303AB15 , 5G303AB20 , 5G303BA07 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB06 , 5G303CB07 , 5G303CB18 , 5G303CB24 , 5G303CB30 , 5G303CB31 , 5G303CB32 , 5G303CB35 , 5G303CB36 , 5G303CB37 , 5G303CB38 , 5G303CB39 , 5G303CB40 , 5G303CB41 , 5G303CB43 , 5G303DA05 , 5G303DA06

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