特許

J-GLOBAL ID：200903038844075700

半導体装置の製造方法

発明者： 芝崎 誠男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278868
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093837
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】ロット間の抵抗ばらつきに影響しない一様にメッキ予定表面の清浄化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ステップ11で、ウェハにおける集積回路上層の絶縁膜上にパッド部材、例えばAlを主成分とするAlパッドを形成する。もちろんAlパッドの周囲には保護膜(パッシベーション膜)が形成される。ステップ12では複数のロット毎のウェハをメッキ処理工程に向けて搬送する搬送処理中に大気圧プラズマ処理121を経る。大気圧プラズマ処理は、-He+O2 プラズマガス雰囲気により、図示しないが、Alパッド表面上に付着した自然酸化膜を含む有機物やパーティクルなどが除去される。

請求項（抜粋）：

無電解メッキ法を利用して半導体ウェハ上の電気的接続領域に無電解メッキ金属層を形成する方法に関し、前記半導体ウェハを無電解メッキ法に関る処理液に浸漬する際、事前に半導体ウェハに対し前記電気的接続領域を含むように大気圧プラズマ処理を施すことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  C23C 18/18 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

C23C 18/18 ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (15件)：

4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022CA03 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01 ,  5F004AA14 ,  5F004BA11 ,  5F004BB11 ,  5F004BC06 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB09 ,  5F004EB02 ,  5F004FA08