特許
J-GLOBAL ID:200903038847401276

発振回路内蔵半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-147614
公開番号(公開出願番号):特開2004-350203
出願日: 2003年05月26日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】発振回路を内蔵した半導体集積回路において、1つのトランスミッションゲートで構成された帰還抵抗は電圧の変動により抵抗値が変わるため、発振周波数の精度はある一定電圧でしか調整できず、電圧が変動すると精度が悪化するという問題があった。【解決手段】複数の帰還抵抗5〜7を並列に接続し、CPU2が制御レジスタ3に任意にデータを書き込むことにより、複数の帰還抵抗5〜7それぞれのON、OFFを任意に制御し、電圧が変動しても一定の帰還抵抗値を設定する。これにより、発振周波数の精度の安定化を図ることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
外部の水晶またはセラミック振動子を接続する一対の入出力端子と、前記一対の入出力端子間に接続された反転増幅器と、前記一対の入出力端子間に並列に接続された複数のトランスミッションゲートからなる帰還抵抗部と、前記複数のトランスミッションゲートのオン、オフを個別に制御するデータを保持するレジスタと、前記レジスタに前記データを書き込むCPUとを備え、 前記CPUは、前記帰還抵抗部の抵抗値が一定となるように電源電圧の変動に応じて前記レジスタのデータを書き換えるようにした発振回路内蔵半導体集積回路。
IPC (1件):
H03B5/32
FI (2件):
H03B5/32 E ,  H03B5/32 D
Fターム (16件):
5J079AA04 ,  5J079AA05 ,  5J079BA04 ,  5J079BA21 ,  5J079BA39 ,  5J079DB04 ,  5J079EA04 ,  5J079FA05 ,  5J079FB03 ,  5J079FB34 ,  5J079FB39 ,  5J079FB40 ,  5J079FB48 ,  5J079GA09 ,  5J079GA18 ,  5J079GB06

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