特許
J-GLOBAL ID：200903038847421200
Al系材料形成不良検出方法及びAl系材料形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100337
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069307
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高温スパッタによるAl系材料のAl埋め込み等における形成不良(埋め込み不良)の検出が、容易かつ短時間にでき、埋め込み不良のナイバーバリア的な評価ができるAl系材料形成不良検出方法及びこれを用いたAl系材料形成方法を提供すること。【構成】 下地材料(基板1上のTi等)上に、高温スパッタによりAl系材料4を形成するAl系材料形成技術において、?@Al系材料形成後、該形成されたAl系材料を除去し、Al系材料と下地材料との反応部及び未反応部31の有・無を調べることによりAl系材料の形成不良を検出する。?A下地材料上に不良検出観察用パターン部分を予め作り込んでおき、Al系材料形成後、該不良検出観察用パターン部分について、形成されたAl系材料を除去し、Al系材料と下地材料との反応部及び未反応部31の有・無を調べることによりAl系材料の形成不良を検出するAl系材料形成方法。
請求項（抜粋）：
下地材料上に、高温スパッタによりAl系材料を形成するAl系材料形成における形成不良検出方法であって、Al系材料形成後、該形成されたAl系材料を除去し、Al系材料と下地材料との反応部及び未反応部の有・無を調べることによりAl系材料の形成不良を検出するAl系材料形成不良検出方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, C23C 14/54
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
