特許
J-GLOBAL ID：200903038848072012
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074965
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283579
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】半導体装置をプリント回路基板にクリーム半田等を用いて接合(実装)する場合において、同半導体装置と同基板との強固な半田接合強度の保証し、150°C以上の高温で数百時間放置した後の半田剥がれの発生しない、半導体装置の外部引き出し用リードの外装半田めっき構造を提供する。【構成】半導体装置の外部引き出し用リードを、1%以上の亜鉛(Zn)を含んだ3μm以上の銅めっきを施し、その上に通常の半田(Sn/Pb)めっきを5〜20μm施した構造とする。この結果、下地めっき皮膜中の銅により、半導体装置をプリント回路基板に実装した直後の半田接合強度が高くなる。さらに、同めっき皮膜中の微量の亜鉛により、高温長時間の加熱後の半田剥がれを防止することが可能となる。
請求項（抜粋）：
リードフレームのアイランド部に搭載された半導体チップが樹脂封止された半導体装置において、前記リードフレームの外部引き出し用リードが、亜鉛を含む銅皮膜で覆われ、さらに、前記銅皮膜が半田(Sb/Pb)皮膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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