特許
J-GLOBAL ID：200903038848370315
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 佳直 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029140
公開番号（公開出願番号）：特開平5-224397
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 マスクサイズからの変換差を小さく抑え、プロファイルの良いレジスト像を形成する。【構成】 ガラス基板上に残しパターン領域となるクロム面1と該クロム面を部分的に除去して得られた抜きパターン領域となるクロム抜き面2を設け、このクロム面1の近傍のクロム抜き面2に、ダミーの残しパターン領域となる少なくとも1つの所定幅のクロム面3を付加してマスクパターンが構成される。抜きパターンの領域にダミーの残しパターン領域を設けることにより、露光量設定が大きくなった場合でも、光の干渉効果を利用してオーバサイズ量を最小に抑え、エッジ部分でのプロファイルを良くし、かつダミーパターンの転写は行われずに、所望のレジストパターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
残しパターン領域と抜きパターン領域を有するマスクを使用して行う露光工程をもつ半導体装置の製造方法において、前記マスクの抜きパターン領域に少なくとも1つの解像されないダミーの残しパターン領域を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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