特許
J-GLOBAL ID：200903038850427464
パワーモジュールとその複合基板及び接合用ロー材
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-016821
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222905
出願日： 2001年01月25日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は、接合変形が小さく、更に接合の歩留まりが高く、且つ接合部の信頼性が高いパワーモジュールとそれに用いる複合基板及びその接合用ロー材を提供することにある。【解決手段】本発明は、一方の面に回路板及び他方の面に放熱板を設けたセラミックス基板と、前記放熱板に金属接合材Aによって接合されたヒートシンク基板と、前記回路板に金属接合材Bによって接合された半導体パワー素子とを有するパワーモジュールにおいて、前記金属接合材A及びBは、いずれか一方が、融点が500〜600°CであるAg-Cu-Sn系、Ag-Cu-In系又はAg-Cu-Sn-In系のAg基合金から成り、他方が半田からなること、又、金属接合材A及びBは、いずれか一方が、重量で、Cu10〜30%と、Sn及びInの1種又は2種の合計20〜40%を含むAg基合金から成ること、又それに用いる複合基板及びそのロー材にある。
請求項（抜粋）：
一方の面に回路板及び他方の面に放熱板を設けたセラミックス基板と、前記放熱板に金属接合材Aによって接合されたヒートシンク基板と、前記回路板に金属接合材Bによって接合された半導体パワー素子とを有するパワーモジュールにおいて、前記金属接合材A及びBは、そのいずれか一方が、融点が500〜600°CであるAg-Cu-Sn系、Ag-Cu-In系及びAg-Cu-Sn-In系のいずれかのAg基合金から成り、他方が半田からなることを特徴とするパワーモジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/40
, B23K 35/30 310
, C22C 5/06
, C22C 5/08
H01L 23/40 F
, B23K 35/30 310 B
, C22C 5/06
, C22C 5/08
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BC06
