特許

J-GLOBAL ID：200903038857762234

シリコン系絶縁膜の形成方法と半導体装置

発明者： 鈴木 篤 ,  片岡 豊隆 ,  鈴木 利彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145004
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340056
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタ特性を低下させることなく、ストレスリーク電流耐性を向上させることができ、特に不揮発性半導体メモリ装置のゲート絶縁膜として用いて好適なシリコン系絶縁膜の形成方法を提供すること。【構成】 シリコン酸化膜12を形成後、酸化窒素雰囲気中で該シリコン酸化膜を窒化処理することにより、所望のストレスリーク電流耐性を、膜に導入された窒素の濃度によって制御する。窒化処理によって、シリコン酸化膜中、またはシリコン酸化膜とシリコン基板との界面付近に導入される窒素の濃度は、1×1020atoms/cm3 以上、5×1020atoms/cm3 以下であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を酸化することによりシリコン酸化膜を形成後、酸化窒素雰囲気中で該シリコン酸化膜を窒化処理することにより、所望のストレスリーク電流耐性を、膜に導入された窒素の濃度によって制御することを特徴とするシリコン系絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/316 T ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 C