特許

J-GLOBAL ID：200903038858414256

モジュール型半導体装置

発明者： 石渡 裕 ,  山本 敦史 ,  松本 寿彰 ,  齋藤 涼夫 ,  吉野 輝雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193800
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032833
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】炭化珪素製半導体素子を300°C以上で稼動させても熱応力により接合部や絶縁基板が損傷しないモジュール型半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素製半導体素子3を接合する絶縁基板に、炭化珪素製半導体素子3と熱膨張率が近く、かつ、熱伝達率の高い窒化珪素(Si3N4)を用いた絶縁性セラミックス基板1を用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化珪素を用いた絶縁性セラミックス基板と、 前記絶縁性セラミックス基板に金属層を介して接合された炭化珪素製半導体素子と、を有することを特徴とするモジュール型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L23/36 ,  H01L23/08 ,  H01L23/34 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (5件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/08 ,  H01L23/34 A ,  H01L23/36 M ,  H01L25/04 C

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB14 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD14