特許
J-GLOBAL ID：200903038865095239
サーミスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山谷 晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325580
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162709
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】抵抗値やB定数をコントロールできるマイクロ・サーミスタを提供すること。【解決手段】絶縁基板1上に少なくとも2層の金属薄膜2、3を形成し、この金属薄膜に熱エネルギー線を照射するとともにその照射走査速度を変化させてその特性を制御することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に少なくとも2層の金属薄膜を形成し、前記金属薄膜に熱エネルギー線を照射するとともにその照射走査速度を変化させてその特性を制御することを特徴とするサーミスタの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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