特許

J-GLOBAL ID：200903038869622535

ボンディング用構造の形成方法

発明者： 後藤 寛
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049076
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247661
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 高い精度でポリイミド膜をパターニングすることが可能なボンディング用構造の形成方法を提供する。【解決手段】シリコン基板11の主面側であって少なくともボンディングパッド13上に形成されたパッシベーション膜14上にポリイミド膜15を形成する。次に、ポリイミド膜15上にシリコン、シリコン酸化物およびシリコン窒化物からなる群から選択される少なくとも1種で構成されたエッチングマスク層16を形成する。エッチングマスク層16上にボンディングパッド13の上側に位置する開口部17が形成されたレジストパターン18を形成し、このレジストパターン18をマスクとして開口部17内のエッチングマスク層16を選択的にエッチングしてポリイミド膜15を露出させる。次いで、エッチングマスク層16をマスクとしてポリイミド膜15およびパッシベーション膜14を順次エッチングしてボンディングパッド13の表面を露出させるボンディング窓19を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の主面側であって少なくともボンディングパッド上に形成されたパッシベーション膜上にポリイミド膜を形成する工程、前記ポリイミド膜上にシリコン、シリコン酸化物およびシリコン窒化物からなる群から選択される少なくとも1種で構成されたエッチングマスク層を形成する工程、前記エッチングマスク層上に前記ボンディングパッドの上側に位置する開口部が形成されたレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして前記開口部内の前記エッチングマスク層を選択的にエッチングして前記ポリイミド膜を露出させる工程、および、前記エッチングマスク層をマスクとして前記ポリイミド膜および前記パッシベーション膜を順次エッチングして前記ボンディングパッドの表面を露出させるボンディング窓を形成する工程を具備することを特徴とするボンディング用構造の形成方法。