特許

J-GLOBAL ID：200903038870697883

非晶質シリコン膜のドライエッチング方法及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 高野 隆男 ,  頼富 美文 ,  轟 悟 ,  高橋 幹男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050117
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263417
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、SiN膜、a-Si膜(n形a-Si膜を含む)を一括してエッチングする工程において下層膜SiNおよび上層膜a-Si双方ともにテーパ状にエッチングする方法を提供することにある。【構成】非晶質シリコン薄膜トランジスタ(a-Si・TFT)でプラズマCVD法で連続成膜したゲート絶縁膜3(窒化シリコン、SiN膜)、半導体膜4(a-Si膜)を一括エッチングする際、a-Si膜領域のエッチングにはFとClを含むガス、SiN膜領域のエッチングにはFとOを含むガスでエッチングを行う。【効果】a-Si,SiN膜ともエッチング加工断面がテーパ形状となりa-Si/SiN積層膜を乗り越える配線のステップカバレッジが良好となりTFT基板の歩留りを向上させる。

請求項（抜粋）：

窒化シリコン膜と該窒化シリコン膜上に積層した非晶質シリコン膜を、マスク材を用いて所望の形状に加工する工程において、前記積層膜を異なるガス種(例えば第1のガス種と第2のガス種)のドライエッチングを連続して行い加工することを特徴とする非晶質シリコン膜のドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 311 Y