特許
J-GLOBAL ID：200903038879117979
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149315
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340750
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 微細化のためにタングステン(W)プラグ技術を採用し、しかもツェナーザップダイオードを破壊短絡した際フィラメントを安定して形成できるようにした、半導体装置とその製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 絶縁膜10に形成された第1のコンタクトホール11にWプラグ14aが設けられた半導体素子と、絶縁膜10に形成された第2のコンタクトホール30上にアノード電極32を有したツェナーザップダイオードとを備えた半導体装置の製造方法である。第2のコンタクトホール30内をWで満たすことなく第1のコンタクトホール11をWで埋め込み、エッチバックして第1のコンタクトホール11内にWプラグ14aを形成するとともに、第2のコンタクトホール30内にシリコン基板1表面を露出させ、第2のコンタクトホール30内に、シリコン基板1表面に導通するアノード電極32を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールにタングステンプラグが設けられてなる半導体素子と、前記絶縁膜に形成された第2のコンタクトホール上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金からなるアノード電極を有したツェナーザップダイオードとを備えた半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に第1のコンタクトホール、第2のコンタクトホールをそれぞれ形成した後、第2のコンタクトホール内をタングステンで満たすことなく第1のコンタクトホールをタングステンで埋め込む第1の工程と、前記タングステンをエッチバックして第1のコンタクトホール内にタングステンプラグを形成するとともに、第2のコンタクトホール内にシリコン基板表面を露出させる第2の工程と、前記第2のコンタクトホール内に、露出したシリコン基板表面に導通するアルミニウムあるいはアルミニウム合金からなるアノード電極を形成する第3の工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/866
H01L 27/04 V
, H01L 29/90 D
5F038AV04
, 5F038AV15
, 5F038CA05
, 5F038CA10
, 5F038EZ01
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
