特許
J-GLOBAL ID：200903038886166039
半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211311
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066134
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 極微細な領域においても、種々の微細構造を汚染等を招くことなく、簡易なプロセスで作製可能にした化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。【構成】 酸化膜の蒸発温度、あるいは調和蒸発温度が異なる少なくとも 2種類の化合物半導体層2、3を積層する。これら化合物半導体層2、3の表面をそれぞれ露出させる。酸化膜蒸発温度が異なる組合わせの場合には、それら露出表面にそれぞれ酸化膜5、6を形成し、これら化合物半導体の酸化膜蒸発温度の間の温度に加熱し、酸化膜の蒸発温度が低い方の化合物半導体2の酸化膜5を選択的に除去する。この後、化合物半導体層2の露出表面2aに所望の処理を施す。また、調和蒸発温度が異なる組合わせの場合には、少なくとも 2種類の化合物半導体の調和蒸発温度の間の温度に加熱し、調和蒸発温度が低い方の化合物半導体層を選択的にエッチングする。
請求項（抜粋）：
酸化膜の蒸発温度が異なる少なくとも 2種類の半導体層を含む積層構造を有する半導体デバイスを製造するにあたり、前記少なくとも 2種類の半導体層の表面をそれぞれ露出させると共に、それら露出表面にそれぞれ酸化膜を形成する工程と、前記少なくとも 2種類の半導体の低い方の酸化膜の蒸発温度と高い方の酸化膜の蒸発温度との間の温度に加熱し、前記酸化膜の蒸発温度が低い方の半導体層の酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜が除去された半導体層の露出表面に所望の処理を施す工程と を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
