特許

J-GLOBAL ID：200903038886424755

磁界制御プラズマによる溶射法

発明者： 宇山 忠男 ,  永田 正義 ,  福本 直之 ,  谷口 和彦 ,  大森 明 ,  江口 法孝
出願人/特許権者： 株式会社きんでん
代理人 (1件)： 鎌田 文二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-253352
公開番号（公開出願番号）：特開平10-102228
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ溶射によって基材表面に皮膜を形成する場合において、注入した溶射材料の全量を効率よくプラズマジェットに取り込んで、歩留りよく皮膜を形成することである。【解決手段】 プラズマトーチ26の外周部に同軸状に配置した電磁コイル25により、プラズマジェット52に磁界を作用せしめ、上記磁界の磁界配位に従って溶射粒子の流れをプラズマジェット52の中に取り込むように、該プラズマジェット52を制御するようにした。

請求項（抜粋）：

プラズマトーチで発生したプラズマジェットに粉末状の溶射材料を給送し、上記プラズマジェットにより上記溶射材料を加熱溶融すると共に加速して溶射粒子の流れを作り、これを被溶射基材の表面に吹き付けて皮膜を形成させるプラズマ溶射法において、上記プラズマトーチの外周部に同軸状に設置した電磁コイルによりプラズマジェットに磁界を作用せしめ、上記磁界の磁界配位に従って上記溶射粒子の流れをプラズマジェットの中に取り込むように、該プラズマジェットを制御することを特徴とする磁界制御プラズマによる溶射法。

IPC (3件)：

C23C 4/12 ,  C23C 4/18 ,  H05H 1/42

FI (3件)：

C23C 4/12 ,  C23C 4/18 ,  H05H 1/42

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ溶射法及びプラズマ溶射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-045306   出願人：アイシン精機株式会社