特許

J-GLOBAL ID：200903038889692300

半導体装置

発明者： 藤原 英明
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183149
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ内に、応力ストレスが小さく誘電率の低い絶縁膜を埋め込んで、良好に素子分離を行うこと。【解決手段】 シリコン基板2には、シリコン酸化膜3、ポリシリコン膜4及びシリコン窒化膜5がこの順に形成され、これらの膜3〜5からシリコン基板2にかけて、複数のトレンチ6が所定の間隔を置いて形成されている。トレンチ6の内面における各膜3〜5に相当する部分には、サイドウォールスペーサ7が形成されている。サイドウォールスペーサ7を含んだトレンチ6の内部にはシリコン酸化膜8が形成されていると共に、このシリコン酸化膜8の内部には空隙部9が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板に形成され、上部開口部の幅が下部よりも狭いトレンチと、このトレンチ内に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の内部に形成された空間部とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/764

FI (2件)：

H01L 21/76 N ,  H01L 21/76 A

Fターム (12件)：

5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AC02 ,  5F032BB01 ,  5F032DA04 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA30 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-315160
  
• 特開平1-315160