特許

J-GLOBAL ID：200903038896561602

反射防止膜

発明者： 佐々木 良成
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347893
公開番号（公開出願番号）：特開平10-186103
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】 外光の映り込みを大幅に低減しつつ低コストで作成できる反射防止膜を提供する。【解決手段】 反射防止膜を構成する3層膜には、光学干渉膜としての絶縁膜である酸化シリコン(SiO2 )、誘電体膜である窒化シリコン(Si3 N4 )、および帯電防止膜(導電膜)と透過率制御膜(吸収膜)とを兼ねる窒化チタン(TiNx)の薄膜材料が使用される。そして、ガラス基板の上に窒化チタン膜(TiNx)、窒化シリコン膜(Si3 N4 )、酸化シリコン膜(SiO2 )の順で積層することにより反射防止膜が作成される。

請求項（抜粋）：

基板に形成され、該基板に向かって入射する光の反射を低減する反射防止膜において、光学干渉膜と透過率制御膜(導電膜)で作成されたことを特徴とする反射防止膜。

IPC (3件)：

G02B 1/11 ,  C23C 14/06 ,  H04N 5/72

FI (3件)：

G02B 1/10 A ,  C23C 14/06 N ,  H04N 5/72 A