特許

J-GLOBAL ID：200903038897007099

半導体装置

発明者： 小堺 健司 ,  古野 毅 ,  和田 正志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032992
公開番号（公開出願番号）：特開平7-218599
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 自動的に動作を制御する回路を備えたフラッシュメモリ等の開発期間を短縮して低コスト化を図る。【構成】 動作制御のために複雑な論理構成の自動制御回路を備えたフラッシュメモリ等において、コマンド書き込みサイクルが終了した時点で、例えば信号伝達が行われなくなった所定のアドレス入力端子に高電圧を印加してフラッシュメモリ等をテストモードとして、反転内部信号SIGBをロウレベルにし、同様に信号伝達が行われなくなったデータ入出力端子IO0〜IO15を介して自動制御回路及び周辺部の論理制御に関する非反転又は反転内部信号MUEB,PWEBないしPFVGを出力する。これによりフラッシュメモリ等の通常動作を妨げることなくリアルタイムで、自動制御回路及び周辺部の内部状態をモニタし、その論理機能を容易にかつ短時間で評価・分析することができる。

請求項（抜粋）：

所定のタイミングで所定の信号が入力又は出力される第1の外部端子を具備し、上記信号が入力又は出力されない他の所定のタイミングで上記第1の外部端子から所定の内部信号を出力することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G01R 31/28 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 303

FI (2件)：

G01R 31/28 V ,  G11C 17/00 309 E