特許

J-GLOBAL ID：200903038897174130

堆積膜形成装置

発明者： 佐野 ひとみ ,  藤岡 靖
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025579
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、特に堆積速度の速い領域で大面積の堆積膜を、均-膜質で光学的、及び、電気的特性の要求を満足し、かつ欠陥が少なく耐久性、信頼性に優れた堆積膜を歩留まり良く作成することのできる堆積膜形成装置を提供することを目的とするものである。【構成】本発明は上記目的を達成するために、減圧にし得る反応容器の放電空間内に、原料ガス導入手段を介して原料ガスを導入すると共にマイクロ波エネルギーを導入し、放電空間内に配置された帯状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記原料ガス導入手段がクシ型状に突出した複数本のノズルを有していることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

減圧にし得る反応容器の放電空間内に、原料ガス導入手段を介して原料ガスを導入すると共にマイクロ波エネルギーを導入し、前記放電空間内に配置された帯状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記原料ガス導入手段がクシ型状に突出した複数本のノズルを有していることを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V