特許

J-GLOBAL ID：200903038898258370

半導体記憶装置及びデータのアクセス方法

発明者： 木村 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277203
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102191
出願日： 1995年09月30日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを用いるメモリセルは、電極の素材や形成方法が限定されるため、その微細化が困難であり、高容量化が困難になる。【解決手段】 強誘電体キャパシタで構成されるメモリセルに対して常誘電成分で2値のデータを記憶させ、強誘電成分で2値のデータを記憶させる。1つのメモリに対して、DRAMモードとFRAMモードでそれぞれ2値のデータの記憶が可能となり、併せて4値を記憶することが可能となり、これまでと同じセル面積で2倍の記憶容量とすることができ、半導体記憶装置のチップの面積を増加させることなく高容量化が実現できる。

請求項（抜粋）：

強誘電性を持つ材料を容量キャパシタの誘電体としたメモリセルを有する半導体記憶装置において、前記メモリセルには、強誘電性材料の常誘電成分を利用して2値のデータを保持し、かつ、強誘電成分を利用して2値のデータを保持し、これら2種類の2値データを用いて4値のデータを保持することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  G11C 11/56 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/34 381 A ,  H01L 27/10 651