特許

J-GLOBAL ID：200903038899789370

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271150
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109695
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜または保護膜としてプラズマCVD薄膜を用いている半導体装置において、反応初期に形成される組成の不安定な膜の発生をなくし、密着性、耐湿性に優れパーティクルの発生の少ないプラズマCVD薄膜を提供し、半導体装置の歩留りと信頼性の向上を図る。【構成】配線層を形成後の半導体基板にプラズマCVD膜を形成する工程において、直接反応しないガスを最初に流し、所定の圧力、流量に達した後(t13)、一旦RFを印加し、一定時間保持後切る(t14)。その後主反応ガスを流し、所定の圧力、流量に達した後再度RFを印加し(t15)、一定時間保持することによってプラズマCVD薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜または、保護膜として一層以上のプラズマCVD薄膜を用いている半導体装置において、該プラズマCVD薄膜の形成方法が、a)プラズマや温度によって反応しないガス(副反応ガス)を流し、ガス流量、圧力、電極間隔等を設定値に制御する工程と、b)高周波(RF)を印加する工程とc)一定時間保持後、高周波(RF)を停止する工程とd)プラズマや温度によって反応するガス(主反応ガス)を流し、ガス流量と圧力を設定値に制御する工程と、e)高周波(RF)印加し、所定の時間保持する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52