半導体液相エピタキシャル装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：倉内義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-302926
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161650
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】成長室内での水平方向の成長膜厚を均一に保つ。【構成】結晶原料の融液7を貯溜する融液溜8が形成された上部部材6と、基板11を収容する成長室3が形成された成長用ボート2とを備え、一定温度に昇温された電気炉内で、融液溜8内に貯溜されている融液7を成長室3内に落下させ、その後降温して基板11の表面に結晶を成長させる半導体液相エピタキシャル装置であって、成長用ボート2に形成された成長室3の側壁3aに隣接して溶媒槽12を形成する。

請求項（抜粋）：

結晶原料の融液を貯溜する融液溜が形成された上部部材と、基板を収容する成長室が形成された成長用ボートとを備え、一定温度に昇温された電気炉内で、前記融液溜内に貯溜されている融液を前記成長室内に落下させ、その後降温して基板表面に結晶を成長させる半導体液相エピタキシャル装置において、前記成長用ボートに形成された前記成長室の側壁に隣接して溶媒槽が形成されたことを特徴とする半導体液相エピタキシャル装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-022197
特開平3-069587
特開平1-045797

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