特許

J-GLOBAL ID：200903038910524545

放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム

発明者： 長野 和美 ,  田村 知之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090280
公開番号（公開出願番号）：特開2002-286846
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】 印刷によって柱状波長変換体層を形成する際に良好な印刷特性が得られ、柱状波長変換体層の形状の変動および各画素の出力変動が小さな放射線検出装置を提供する。【解決手段】 半導体光検出素子111は、基板104上に薄膜トランジスタやフォトダイオードからなる光検出のための画素105が縦横二次元に配列されている。半導体光検出素子111上に、平板状の第1蛍光体層101を設け、さらに半導体光検出素子111の各画素105と対応する位置に、柱状の第2蛍光体層102を設けて構成される。第1蛍光体層101が平均粒径5μm以上20μm以下の波長変換体粒子から構成され、かつ第1蛍光体層の空隙率が20%以上50%以下である。

請求項（抜粋）：

平板状に形成された第1波長変換体層と、この平板状第1波長変換体層に接するように印刷によって形成された概略柱状の第2波長変換体層とを備え、これらの波長変換体層で放射線を光に変換し、さらに光電変換して出力する放射線検出装置において、前記第1波長変換体層が平均粒径5μm以上20μm以下の波長変換体粒子から構成され、かつ前記第1波長変換体層の空隙率が20%以上50%以下であることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (5件)：

G01T 1/20 ,  G01T 1/00 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32

FI (7件)：

G01T 1/20 B ,  G01T 1/20 E ,  G01T 1/00 B ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/00 A

Fターム (34件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG16 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK32 ,  4M118AA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CB11 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  5C024AX12 ,  5C024AX16 ,  5C024CY47 ,  5C024CY50 ,  5C024GX03 ,  5C024GX09 ,  5F088AA01 ,  5F088BA10 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088HA11 ,  5F088LA07 ,  5F088LA08