特許

J-GLOBAL ID：200903038912260952

圧電体薄膜素子及びその製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット記録ヘッド

発明者： 角 浩二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250863
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092897
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 下地電極と圧電体薄膜との密着性が充分に得られ、信頼性が得られる高精細な印字を可能とするインクジェット記録ヘッドを提供する。【解決手段】 組成が、PbZrO3 /PbTiO3 /Pb(AxBy)O3、(x+y=1)である圧電体薄膜と下地電極との界面で、A、Bの内少なくとも1種の濃度が、極大値を示すことを特徴とする。圧電体薄膜素子の製造方法は、下地電極表面にA、Bの内少なくとも1種の元素の薄膜層を、膜厚を5nmから30nmの範囲内の任意に形成した後、圧電体材料の複合化合物を薄膜形成し、後に焼結することにより、圧電体薄膜素子を得ることを特徴とする。Aは、Sb、Y、Mg、Co、Cd、Mn、Ni、Fe、Crの内何れか、Bは、Nb、W、Te、Sb、Ta、Ndの内何れかを表す。

請求項（抜粋）：

基板上に下地電極が形成され、該下地電極上にはPbZrO3 と、PbTiO3 とを基本組成とし、更に一般式Pb(AxBy)O3、(x、y、はモル比を表し、x+y=1)で表される圧電体材料を、第3成分として添加してなる3成分系圧電体薄膜が形成された圧電体薄膜素子において、前記圧電体薄膜の最表面から前記下地電極の表面に至る深さ方向で、前記A、Bの内少なくとも1種の濃度が異なり、前記圧電体薄膜と前記下地電極との界面にて、前記A、Bの内少なくとも1種の濃度が、極大値を示すことを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (7件)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C30B 29/22 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (6件)：

H01L 41/08 C ,  C30B 29/22 Z ,  B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A