特許
J-GLOBAL ID：200903038912916971
フェライト材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118173
公開番号（公開出願番号）：特開平8-310872
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：
【要約】【目的】 各種電子部品に利用されているフェライト材料の製造方法に係り、特性面で優れたものを提供することを目的とする。【構成】 フェライト仮焼粉Aとフェライトを構成する酸化物と金属粉体とからなる混合粉Bとを混合後、焼成することにより得られるフェライト材料で、配合Cu量が混合粉Bの方がフェライト仮焼粉Aよりも少なくすることにより低収縮率で良好な磁気特性のNiZnCuフェライト材料が得られる。
請求項（抜粋）：
フェライト仮焼粉Aとフェライトを構成する酸化物と金属粉体とからなる混合粉Bとを混合後、焼成することにより得られ、配合Cu量が混合粉Bの方がフェライト仮焼粉Aよりも少ないフェライト材料の製造方法。
IPC (3件)：
C04B 35/622
, C01G 49/00
, H01F 1/34
C04B 35/26 A
, C01G 49/00 A
, H01F 1/34 A
