特許
J-GLOBAL ID：200903038914104834
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107322
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302813
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【構成】 シリコン窒化膜を選択的に開口する工程と、アンモニア雰囲気中で熱処理する工程とにより酸化速度の遅い領域を選択的に形成し、異なる膜厚のゲート酸化膜を同一の熱酸化により形成する工程を少なくとも備える。【効果】 ゲート酸化膜厚の異なるMOSトランジスタを同一チップ内に有する半導体装置の、それぞれのトランジスタ特性を安定化させることができる。
請求項（抜粋）：
犠牲酸化膜に被われたシリコン基板にシリコン窒化膜を形成する工程と、この犠牲窒化膜を選択的に除去して下地のシリコン酸化膜の一部を露出させる工程と、この露出させたシリコン酸化膜をアンモニアガスを含む雰囲気中で熱処理する工程と、残存するシリコン窒化膜を除去する工程と、犠牲酸化膜を選択的にあるいは全面的に除去してシリコン基板表面を露出させる工程と、この露出させたシリコン基板を熱酸化してゲート酸化膜を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
