特許

J-GLOBAL ID：200903038919377146

半導体レーザ素子

発明者： 粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177562
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027653
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 低消費電力で動作し、かつ高信頼性のある半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板21上に、一対の電流阻止層24a、24bと、一対の電流阻止層24a、24bの間に位置するストライプ状凹部を有し、該凹部内には活性層27を含む半導体積層構造が形成されている半導体レーザ素子であって、活性層27は引っ張り歪単一量子井戸構造からなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、一対の電流阻止層と、一対の電流阻止層の間に位置するストライプ状凹部を有し、該凹部内には活性層を含む半導体積層構造が形成されている半導体レーザ素子であって、活性層は引っ張り歪単一量子井戸構造からなることを特徴とする半導体レーザ素子。