特許

J-GLOBAL ID：200903038921595177

n型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイス

発明者： 安藤 寿浩 ,  佐藤 洋一郎 ,  蒲生 美香
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  科学技術庁無機材質研究所長
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068011
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたn型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。【解決手段】 基板2上に形成したn型ダイヤモンド半導体4と、このダイヤモンド半導体の表面を水素化して水素化表面を形成したNEA状態の表面6と、この表面近傍に設けたアノード電極7と、n型ダイヤモンド半導体の一部表面に形成したカソード電極8とを高真空容器9内に備え、n型ダイヤモンド半導体を冷陰極として電圧を印加し電子を放出する。

請求項（抜粋）：

n型ダイヤモンド半導体と、このn型ダイヤモンド半導体表面を水素化して負の電子親和力を有する水素化表面と、この水素化表面に対向して設けたアノード電極とを備え、上記n型ダイヤモンド半導体を冷陰極として電子を放出する、n型ダイヤモンド電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 1/30 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 1/30 F ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 C

Fターム (12件)：

5C031DD09 ,  5C031DD17 ,  5C035BB03 ,  5C035BB10 ,  5C036EE01 ,  5C036EE03 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238571   出願人：住友電気工業株式会社
• 冷陰極素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-208766   出願人：松下電器産業株式会社
• ディスプレイのアノード基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072880   出願人：双葉電子工業株式会社
• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317278   出願人：大日本印刷株式会社
• 半導体電子放出素子およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-273322   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-340761   出願人：キヤノン株式会社