特許
J-GLOBAL ID:200903038923203152
半導体の製造中に使用するための石英ガラス部材
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-081029
公開番号(公開出願番号):特開平10-273339
出願日: 1998年03月27日
公開日(公表日): 1998年10月13日
要約:
【要約】【課題】 CVD層の結合に適切な粗い表面を有する石英ガラス部材のを提供。【解決手段】 第1の上方レベルと第2の下方レベルとの間に延在する不規則な隆起した構造的な要素によって形成される粗い表面を有する、半導体の製造中に使用するための石英ガラス部材であって、このような構造的な要素の多数が、第1のレベル上に走るほぼ平坦な覆い面を有し、該覆い面が、第1および第2のレベルの間に走るほぼ平坦な側面によって、すべての側面で小平面を刻む方法で限定されるような石英ガラス部材において、表面の平均粗さ高さRaが0.1μmから10μmの範囲にあり、第1のレベル(2)に投影された構造的な要素(1)の突出部の寸法(L)が30μmから180μmの範囲の平均値を有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
第1の上方レベルと第2の下方レベルとの間に延在する不規則な隆起した構造的な要素によって形成される粗い表面を有する、半導体の製造中に使用するための石英ガラス部材であって、このような構造的な要素の多数が、第1のレベル上に走るほぼ平坦な覆い面を有し、該覆い面が、第1および第2のレベルの間に走るほぼ平坦な側面によって、すべての側面で小平面を刻む方法で限定されるような石英ガラス部材において、表面の平均粗さ高さRaが0.1μmから10μmの範囲にあり、また第1のレベル(2)に投影された構造的な要素(1)の突出部の寸法(L)が30μmから180μmの範囲の平均値を有することを特徴とする石英ガラス部材。
IPC (4件):
C03C 17/00
, C03C 15/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
FI (4件):
C03C 17/00
, C03C 15/00 Z
, H01L 21/205
, H01L 21/31 F
引用特許:
前のページに戻る