半導体センサの切断方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205760
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054764
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】半導体チップのチッピングの発生を防ぎ、半導体チップ面積を有効利用できるとともに、製造工程を簡素化させることが可能な半導体センサの切断方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ(半導体ウエハ)1の表面にエッチング処理により溝部12を形成する。ガラス基板(絶縁基板)4を切断するブレードを用いて、溝部12の形成位置からシリコンウエハ1及びガラス基板4を同時に切断する。

請求項（抜粋）：

複数の抵抗体及びダイアフラムが形成された半導体ウエハに絶縁基板を固着し、前記半導体ウエハと絶縁基板とを同時に切断する半導体センサの切断方法において、前記半導体ウエハの表面にエッチング処理により溝部を形成し、前記溝部の形成位置もしくは形成位置近傍から前記半導体ウエハ及び前記絶縁基板をブレードにより同時に切断することを特徴とする半導体センサの切断方法。

IPC (4件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 , G01L 9/04 101 , H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 29/84 B , G01L 9/04 , G01L 9/04 101 , H01L 21/78 Q

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