電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306100
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145157
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】ドレイン破壊耐圧が高く、高いドレイン電圧を印加することにより大きな出力電力を得ることができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 n型チャネル層3上にゲート電極6及びドレイン電極7が形成されている。更にn型チャネル層3のゲート電極6とドレイン電極7との間に位置する領域の一部には、深さが100nmの溝状のくぼみが形成されており、このくぼみ中にn型埋込み領域8が形成されている。n型埋込み領域8は、n型チャネル層3を構成する半導体材料よりも大きな禁制帯幅を有する半導体材料、例えばSiが2×1017(cm-3)添加されAlを25原子%含有するAlGaAs又はGaを51原子%含有するInGaPからなる。

請求項（抜粋）：

第1の半導体材料からなるチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたゲート電極及びドレイン電極とを有する電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記チャネル層内に、禁制帯幅が前記第1の半導体材料のものよりも大きい第2の半導体材料からなるn型埋込み領域を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-115781
特開昭64-061067

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